MATERIAL HÍBRIDO ORGÁNICO-INORGÁNICO Y MÉTODO PARA PASIVACIÓN DE SUPERFICIE DE SILICIO
RESUMEN
Un importante reto tecnológico es la pasivación de la superficie del silicio en dispositivos optoelectrónicos, como las células solares, sin añadir costes adicionales y empleando materiales abundantes. En la presente invención, se propone un método para fabricar un material híbrido compuesto con PEDOT:PSS y nanoestructuras de óxidos transparentes conductores, obteniendo la pasivación de la superficie de silicio mediante la utilización de una película compuesta delgada con un espesor menor de 200 nm.
SECTOR DE LA TÉCNICA
La invención se encuadra en el sector de dispositivos semiconductores y recubrimientos funcionales. De forma más concreta, se refiere a un método de fabricación de un material compuesto formado por un conductor orgánico y nanoestructuras semiconductoras 10 (nanopartículas y/o nanohilos) para su aplicación como capa de pasivación electrónica de superficie de silicio en células solares y otros dispositivos electrónicos.
INVENTORES
Miguel García Tecedor
Geraldo Cristian Vásquez Villanueva
María Taeño González
David Maestre Varea
Ana Isabel Cremades Rodríguez
Julio Ramírez Castellanos
Francisco Javier Piqueras de Noriega
José María González Calbet
Smagul Karazhanov
Halvard Haug
Chang y Chuan You
Erik S. Marstein
TITULARES
Universidad Complutense de Madrid
Institute for Energy Technology